SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜  

Epitaxial growth of PLZT thin film on SrTiO3 substrate by sputtering method

作　　者：仇萍荪[1] 程文秀[1] 何夕云[1] 郑鑫森[1] 丁爱丽[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1142-1144,1147,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：上海市科委光科技专项行动计划项目(015261047)

摘　　要：用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.

关 键 词：SrTiO3衬底 PLZT膜 溅射条件 外延生长 

分 类 号：TN304.9[电子电信—物理电子学]