电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列  

The electrochemical-etching preparation of semiconductor material nanometer-sized pore arrays

作　　者：李国庆[1] 刘爱民[1] 潘萌[1] 杜晓书[1] 郭凡[1] 

机构地区：[1]大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1145-1147,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60306001)

摘　　要：电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.

关 键 词：电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM 

分 类 号：TN304.8[电子电信—物理电子学]