一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件  

An electrical rewritable, erasable and readable organic film memory device

作　　者：郭鹏[1] 蔡永挚[1] 刘春明[1] 吕银祥[1] 徐伟[1] 潘星龙[1] 华中一[1] 

机构地区：[1]复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433 复旦大学,材料科学系,上海,200433

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1186-1188,1192,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：教育部跨世纪优秀人才培养计划基金;国家自然科学基金资助项目(60171008);上海市科委纳米专项基金资助(0214nm005)

摘　　要：报道一种具有可逆电双稳特性的有机薄膜存储器件.器件采用三明治夹层结构:Ag/DBCN/Al,DBCN为有机分子材料的简称.这种薄膜器件可以通过改变外加电场的大小来控制所处的状态,表现出高电压区(＞6V)为高阻态(＞106Ω),低电压区(1～2V)为低阻态(～103Ω)的特性,外电场消失时其状态能够长时间保持稳定(超过3个月),还可以用小电压脉冲信号(＜0.5V)来读取其状态信息.此外还发现该器件具有良好的耐热稳定性.

关 键 词：有机分子材料 电双稳 可电写擦、可电读出分子器件 

分 类 号：O626[理学—有机化学] O484.4[理学—化学]