CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究  

Study of processing of ohmic contact electrode prepared on CdZnTe crystal

作　　者：陈继权[1] 孙金池[1] 李阳平[1] 刘正堂[1] 

机构地区：[1]西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072 西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072 西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072 西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1215-1218,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国防基础研究资助项目(J1500E002)

摘　　要：高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固.本论文主要开展了在CdZnTe晶体上欧姆接触电极的选材和制备工艺的研究.理论分析了金属与CdZnTe半导体的接触关系,根据影响因素选择Cu/Ag合金作为电极薄膜材料.利用射频磁控溅射法成功地在CdZnTe晶体上制备出Cu/Ag膜.研究发现Cu/Ag合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度的升高而降低.从理论上对这一规律进行了解释.

关 键 词：碲锌镉 欧姆接触 薄膜 磁控溅射 

分 类 号：O484[理学—固体物理]