电化学原子层外延沉积碲化铋纳米薄膜研究  

Deposition of Bi2Te3 nanometer thin film by electrochemical atomic epitaxy

作　　者：杨君友[1] 朱文[1] 郜鲜辉[1] 

机构地区：[1]华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074 华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074 华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1281-1283,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：武汉市青年科技晨光计划、教育部留学回国人员科研启动基金、华中科技大学研究生项目基金(J0226)联合资助

摘　　要：本文首次研究了电化学原子层外延(ECALE)法室温沉积碲化铋纳米薄膜的过程.ECALE是原子层外延的电化学模拟.它通过欠电位技术实现电化学沉积过程中的原子级的精确控制,每次只沉积一个原子层厚度,通过沉积循环的控制可以实现对沉积薄膜材料种类和厚度的控制.采用三电极和循环伏安法,分别研究确定了Pt电极上欠电位沉积金属Bi薄膜、Te在Pt电极上欠电位沉积条件以及Bi在Te表面和Te在Bi表面的交替沉积行为及其沉积参数,通过不同电位交替沉积得到Bi2Te3纳米薄膜.对薄膜的氧化剥落及其电量分析结果进一步证明了该薄膜的沉积过程是一种二维层状生长过程.

关 键 词：ECALE 欠电位沉积 热电材料 Bi2Te3纳米薄膜 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]