离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究  

Study on GaAs:Mn film fabricated by ion-implantation

作　　者：宋书林[1] 陈诺夫[1,2] 尹志岗[1] 柴春林[1] 杨少延[1] 刘志凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 [2]中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1308-1310,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)

摘　　要：采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.

关 键 词：半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学] TN304.054