氟化钙晶体的生长与缺陷研究  

Growth and defects of CaF2 crystals

作　　者：侍敏莉[1] 陆宝亮[1] 徐家跃[1] 

机构地区：[1]中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050 中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050 中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050

出　　处：《功能材料》2004年第z1期192-194,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：采用真空坩埚下降法在石墨坩埚中生长了大尺寸CaF2晶体.通过高温氟化获得无水高纯原料,自发成核发育籽晶,以＜2mm/h的生长速率,成功生长了直径170mm的CaF2晶体.研究了晶体的顶部析晶形貌、包裹体、解理等生长缺陷.

关 键 词：氟化钙 坩埚下降法 晶体生长 缺陷 

分 类 号：O782[理学—晶体学]