PMN-PT弛豫铁电单晶畴结构的压电响应力显微术研究  

Piezoresponse force microscopy studies of domain structures in relaxor-type PMN-PT single crystals

作　　者：曾华荣[1] 余寒峰[1] 初瑞清[1] 李国荣[1] 罗豪[1] 殷庆瑞[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1322-1326,共5页Journal of Functional Materials

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目(2002CB613307)

摘　　要：利用压电响应力显微术开展了PMN-PT弛豫铁电单晶铁电畴结构的三维极化取向成像、畴结构的不均匀性及极化状态稳定性机理的研究.揭示了纳米尺度畴结构的不均匀性源于纳米尺度极性微区的相互作用和无规场之间的共同调制,而单晶表面屏蔽电荷机制主要源于大气环境下水的溶解性吸附,该机制对PMN-PT单晶中畴状态的稳定性及材料最佳性能的发挥起着重要作用.

关 键 词：PMN-PT单晶 铁电畴 压电响应力显微术 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]