旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析  

Determination of piezoelectric constants of La3Ga5SiO14 crystal by rotated Y-cut

作　　者：赵明磊[1] 王增梅[1] 袁多荣[1] 王矜奉[1] 王春雷[1] 王渊旭[1] 王晓颖[1] 

机构地区：[1]山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1436-1438,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50372034);山东省自然科学基金资助项目(Z2003F04)

摘　　要：通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.

关 键 词：LGS晶体 旋转Y切 压电常数 

分 类 号：O772[理学—晶体学]