R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能  

The behaviors of tungsten oxide thin films prepared by r.f. magnetic sputter

作　　者：李竹影[1,2] 宋玉苏[2] 刘祖黎[1] 姚凯伦[1] 

机构地区：[1]华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074 [2]海军工程大学文理学院,湖北,武汉,430033海军工程大学文理学院,湖北,武汉,430033华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1447-1449,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸收是一致的.光的透过率显示电压超过某一值后,膜的变色能力减弱并消失.XRD显示本文所得氧化钨薄膜主要是非晶态的结构.

关 键 词：氧化钨薄膜 电致变色 r.f.磁控溅射 

分 类 号：O484[理学—固体物理]