纳米结构TiO2/聚3-甲基噻吩多孔膜电极光电化学研究  

Photoelectrochemical studies on the nanostructured TiO2/pmet film electrode

作　　者：郝彦忠[1,2] 武文俊[2] 

机构地区：[1]河北科技大学,理学院,河北,石家庄,050018 [2]河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1876-1879,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(20203008);河北省自然基金资助项目(202351);河北省教育厅博士基金资助项目(110611)

摘　　要：用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-甲基噻吩(PMeT)膜电极和ITO/TiO2/PMET复合膜电极的光电转换性质.结果表明,PMET膜导带位置为-3.44eV,禁带宽度为1.93eV.修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.

关 键 词：TiO2/PMET复合膜电极 光电化学 导电聚合物 

分 类 号：O6[理学—化学]