微米级硫化物半导体的红外发射率研究  

The infrared emissivity research of micrometer sulfide semiconductor

作　　者：王函[1] 徐国跃[1] 翁履谦[1] 王芹[1] 王秀华[1] 

机构地区：[1]南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016 南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016 南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016 南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016 南京航空航天大学,材料科学与技术学院,南京,210016

出　　处：《功能材料》2004年第z1期283-285,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国防基础科研基金资助项目(J1300A002)

摘　　要：为了制备出在8～14μm红外波段具有较低红外发射率的粉体,以硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)为原料,采用了气氛固相烧结法制备了微米级的CdZnS固溶体粉体.采用XRD、BET(ASAT2010)比表面仪表征,研究了粉体的结构、粒度等特征.通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8～14μm波段的红外发射率.着重讨论了粉体的晶格畸变和8～14μtm波段红外发射率之间的关系,并对此给出了一定的解释.

关 键 词：硫化物半导体 红外发射率 晶格畸变 晶格振动 

分 类 号：O614.24[理学—无机化学] O613.51[理学—化学] TN976[电子电信—信号与信息处理]