保偏光纤应力元成分分布的电子探针分析及双折射的模拟计算  

Analyses of component distribution in stress applying part by electron probe and the calculation of birefringence

作　　者：李美成[1] 刘礼华[1] 李祥鹏[1] 萧天鹏[1] 赵连城[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001 江苏法尔胜光子公司,江苏,江阴,214433 哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001 江苏法尔胜光子公司,江苏,江阴,214433 哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001

出　　处：《功能材料》2004年第z1期358-361,366,共5页Journal of Functional Materials

基　　金：国家高技术研究发展计划836项目资助;中国博士后科学基金资助

摘　　要：利用电子探针波谱仪(WDS)对保偏光纤的横截面进行了成分分析,得到了径向掺杂元素的分布以及应力区和芯区的实际几何形状.实验分析表明保偏光纤截面应力掺杂区成分分布比较明显,从背散射像可以看出,中心白色区域为光纤的Ge掺杂的芯部,两侧黑色区域为B掺杂的应力区.扫描电镜能谱分析得到光纤截面能谱图,从而得到光纤内的杂质种类,这也是和工艺过程中所掺杂的元素相对应的.同时,在测得的应力元形状的基础上,利用微元算法模拟计算双折射与应力元形状及掺杂元素浓度的关系,为新型应力元结构光纤的设计提供依据.

关 键 词：保偏光纤 应力元 掺杂浓度 双折射 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]