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出 处:《工程热物理学报》2004年第S1期158-160,共3页Journal of Engineering Thermophysics
基 金:国家自然科学基金资助(No.50276036)
摘 要:Bridgman生长方法已经广泛的应用于融化时大的单晶体生长计算。在生长过程中液体固体分界面位置和形状对生长控制十分重要但难检测。利用许多半导体材料固体和液体状态的电导率的区别,用涡电流检测对生产控制。本文也对选择相应的固态材料对GaAs生长进行冷态实验进行了可行性分析。The Bridgman method has become a widely used technology for the growth of bulk singlecrystals from the melt Liquid-solid. Interface position and shape 鈘e very important for growth cortrol but difficult to detect in the grovvth process. Using the large electrical conductivity differences between the solid and liquid phases of many semiconducting systems, eddy current detect is used to control production. This page also choose solid material instead of GaAs and analyse the feasibility of cool experiment.
分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学]
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