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作 者:李皓[1] 华光[1] 陈继新[1] 洪伟[1] 崔铁军[1] 吴柯[1]
机构地区:[1]东南大学毫米波国家重点实验室,江苏南京210096
出 处:《电子学报》2003年第z1期2002-2004,共3页Acta Electronica Sinica
基 金:国家杰出青年资金 (No .60 2 2 50 0 1 );国家高科技 863计划项目 (No .2 0 0 2AA1 2 30 31 );海外青年合作研究基金 (No .60 0 2 81 0 1 )
摘 要:基片集成波导 (SIW)技术中非常重要的问题之一是该类波导与其它形式传输线的过渡问题 .最近已有文章探讨了SIW与微带线过渡的一种锥形结构 ,在本文中对此类结构进行了全面的拓展 ,分析了直接过渡、凸型过渡和凹型过渡几种情况 ,并实验验证了C波段的微带 SIW转换器 .实验结果表明 ,在 4 .1~ 5 .5GHz的频段内 ,驻波比小于 1.2 ,插损优于 0 .5dB .One of the principal problems in studying the substrate integrated waveguide (SIW) is the transition of SIW with other types of transmission lines.Recently a taper transition between microstrip line and SIW has been proposed.In this paper,the idea has been extended to more general cases,and several new transition types have been developed,including the direct,concave,and convex transitions,and the transition with multilayers.An experimental study has been made at the C band,which shows that a VSWR less than 1.2 through the band 4.1 to 5.5GHz and an insertion loss better than 0.5dB can be obtained.
分 类 号:TN011[电子电信—物理电子学]
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