生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响  

EFFECTS OF GROWTH CONDITIONS ON STRUCTURAL PERFORMANCE OF GaAs/Si FILM

作　　者：涂洁磊 陈庭金 章晨静 吴长树 施兆顺 

出　　处：《太阳能学报》2003年第z1期86-89,共4页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59966002,60266002)

摘　　要：该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.

关 键 词：太阳电池 GsAs/Si薄膜 绒面 柱状结构 

分 类 号：TK51[动力工程及工程热物理—热能工程]