纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜光致发光谱钉扎和缺陷分布研究  

Study of photoluminescence pinning and defect shapes from Si-containing silicon oxide films

作　　者：魏晋军[1] 马书懿[2] 孙小菁[2] 徐小丽[2] 

机构地区：[1]西北师范大学知行学院,甘肃兰州730070 [2]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070

出　　处：《西北师范大学学报（自然科学版）》2008年第5期30-33,共4页Journal of Northwest Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60276015);甘肃省自然科学基金资助项目(0710RJZA105);甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03)

摘　　要：采用磁控溅射法制备了纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜,测试了其光致发光谱,发现其发光强度不仅是纳米硅晶粒尺寸的函数,而且与纳米硅晶粒和二氧化硅间的比例关系有关.实验证实,钉扎现象是由于存在于纳米硅晶粒与非晶态外部介质界面间的发光中心所致,发光中心在界面处的分布并不均匀.Si-containing silicon oxide films is prepared by magnetron sputtering,and its photoluminescence is tested.The results show that the intension is related with the crystal grain dimension and the proportion of crystal grain and silicon oxide.It is also approved that photoluminescence pinning are caused by the illuminant centre existing in the interface,and the distribution of defect shapes are asymmetrical.

关 键 词：纳米硅薄膜 光致发光 缺陷分布 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]