EAM-DFB基于S参量和电路模型的特性分析  

Analysis for property of EAM-DFB by S-Parameters based on the equivalent circuit model

作　　者：王世康[1] 潘炜[1] 罗斌[1] 

机构地区：[1]西南交通大学信息科学与技术学院,成都610031

出　　处：《激光杂志》2008年第4期20-22,共3页Laser Journal

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10174057;90201011);四川省应用基础研究(批准号:03JY029204821);教育部科学技术研究重点项目(批准号:105148)

摘　　要：针对电吸收调制器集成分布反馈激光器(EAM-DFB)的光电混合和端口散射特征,提出了包含自发辐射和俄歇复合的有源等效电路模型,及其散射参量(S参量)求取模型。通过电路级模拟在不同典型参数下的S参量,研究了EAM-DFB的工作特性。模拟得到EAM-DFB的传输参量在-25dB至-60dB内,随频率增高而减小,在调制时增大,并反映出比直调DFB更大的带宽,而反射参量随频率增高而增大,结果与已有的理论和实验吻合。同时发现,减小自发辐射因子或增大驱动电流和限制因子,反射增大传输减小,但后者的传输参量减小缓慢平坦,对调制响应有所改善。Aim at the character of photoelectric mixing and scattering of ports in electro-absorption modulator integrated distributed-feedback semiconductor laser(EAM-DFB),the active equivalent circuit model including spontaneous emission.Auger recombination,and model of calculating scattering parameter (S-Parameter) is established.Based on these models,the characteristic of EAM-DFB is investigated,by simulating S-Parameter on circuit-level for different typical parameters.The results agree with reported theoretical ...

关 键 词：分布反馈激光器 电吸收型调制器 集成模块 散射参量 等效电路模型 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]