硅团簇Si_n^+(n=1—3)注入Si单晶性质的研究  

Implantation Study of Silicon Cluster Ions Si_n^+n(n=1-3)Into Si Crystal

作　　者：赵子强[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院重离子物理研究所,北京100871

出　　处：《原子核物理评论》2002年第z1期98-101,共4页Nuclear Physics Review

基　　金：国家自然科学基金资助项目( 197350 0 4 )~~

摘　　要：利用硅团簇Si+ n(n=1— 3 )注入Si单晶 ,在Si单晶内形成一些单空位和双空位 ,通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02 的双空位缺陷 ,以及团簇效应对缺陷的影响 。In the case of Si + n (n=1-3) with energy of 0. 6 MeV/ion implantation into Si crystal, the mono-and bi-vacancies are formed i n the crystal. The optical absorption indicated that the defects, V 20 stat e, caused by cluster ions variy with the size of cluster. That is 'Cluster Effe ct'. Cluster zone and effect can be deduced by TRIM program and the experiment of positive electron annihilation.

关 键 词：团簇离子 光吸收谱 团簇区 

分 类 号：O562.4[理学—原子与分子物理]