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作 者:李伟文[1] 赵新兵[1] 邬震泰[1] 周邦昌[1]
机构地区:[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027
出 处:《中国有色金属学报》2002年第z1期103-106,共4页The Chinese Journal of Nonferrous Metals
基 金:国家自然科学基金资助项目 ( 5 99710 44)
摘 要:用悬浮熔炼法制备了含Sm和Co的N型FeSi2 基热电材料 ,研究了Co对含Sm的FeSi2 材料电学性能的影响。结果表明 ,材料的电学性能是由两种掺杂元素共同决定的 :Sm能明显降低样品的电阻率 ,而适量的Co能提高重掺Sm的FeSi2 基热电材料的α值和功率因子 ,Co在含Sm的FeSi2 中的最佳掺杂摩尔分数为 2 .2 3%左右。The n-type Fe 1-x-y Sm xCo ySi 2 thermoelectric materials were prepared by levitation melting. The experimental results show that the electrical properties of Fe 1- x-y Sm x Co y Si 2 are determined by the total content of Sm and Co. It is concluded that Co can improve the transport properties of Sm doped FeSi 2 based thermoelectrical materials by increasing the Seebeck coefficient and that Sm has more effect on the electrical resistivity decreasing. The results indicate that the best Co doped content in this thermoelectrical materials is 2.23% to have high power factor.
分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学] TN377
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