SiO_2表面覆盖剂对铝合金熔体直接氧化生长的影响  

Effect of SiO_2 surface dopant on directed oxidation of molten aluminium alloy

作　　者：袁森[1] 都业志[1] 王武孝[1] 

机构地区：[1]西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048

出　　处：《中国有色金属学报》2001年第z1期13-16,共4页The Chinese Journal of Nonferrous Metals

基　　金：陕西省自然科学研究计划资助项目 ( 98C14 )

摘　　要：以Lanxide材料的成形工艺控制为目标 ,研究了SiO2 表面覆盖剂在铝合金熔体直接氧化生长过程中的作用。结果表明有效促进Al2 O3/Al复合材料生长的SiO2 加入量为 1～ 6 g/dm2 。SiO2 能够显著促使材料近平面生长 ,形成细化胞状晶团和提高组织均匀度 ;在覆盖SiO2 的条件下 ,温度升高 ,生长速度加快的同时 ,材料宏观生长表面趋于平整 。With the purpose of controlling Lanxide composite forming technique, the effect of SiO 2 as a surface dopant on directed oxidation of molten aluminium alloy was studied. The results show that the optimum content of SiO 2 is 1～6?g/dm 2, which promotes the near planar surface, the homogenity of microstructure and fine cellular of Al 2O 3/Al composites. The higher the growth temperature, the faster the oxidation growth, and the smoother the macro surface of composite; but the density of composite is lowered down when the temperature is excessively high.

关 键 词：直接金属氧化 AL2O3/AL复合材料 SiO2表面覆盖剂 生长形貌 微观组织 

分 类 号：TB333[一般工业技术—材料科学与工程]