PZT铁电陶瓷的低频内耗研究  

作　　者：王灿[1] 石云 方前锋 朱震刚[1] 

机构地区：[1]中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥230031

出　　处：《中山大学学报（自然科学版）》2001年第z2期253-254,共2页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni

摘　　要：用传统的固态反应法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电陶瓷，在低频扭摆上采用强迫振动的方式，在０．０５～４ Ｈｚ的频率范围内测量了ＰＺＴ铁电陶瓷的内耗温度特征．在室温至 ３５０℃的内耗－温度曲线上，２９０℃和１５０℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰Ｐ１和 Ｐ２，并且在５０ ℃附近观察到一个较低的内耗峰．根据Ａｒ－ｒｈｅｎｉｕｓ关系，分别计算得到Ｐ１的激活能Ｅ１＝２．０９ｅＶ，τ０１＝３×１０－２０ｓ，Ｐ２的激活能Ｅ２＝１．０４ｅＶ，　０２＝８×１０－１４ｓ，并且分析了 Ｐ１和 Ｐ２内耗峰的机制．

关 键 词：PZT 铁电陶瓷 内耗 

分 类 号：TQ174.75+8.11[化学工程—陶瓷工业] O482[化学工程—硅酸盐工业]