富锆PZT陶瓷热释电性能的研究  

作　　者：王聪[1] 曾亦可[1] 易飞[1] 谢静菁[1] 姜胜林[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《化学工程与装备》2008年第11期10-12,共3页Chemical Engineering & Equipment

摘　　要：介绍了富锆PZT陶瓷F_(RL)和F_(RH)的相变,并测试具有不同锆钛比PZT陶瓷的热释电性能,探索相变温度与锆钛比的关系,找出室温下热释电性能最好的PZT陶瓷锆钛比。通过测试,结果表明当锆钛比为97/3时,PZT陶瓷室温下的热释电性能最好,为30×10^(-4)C/m^2℃,符合热释电探测器的性能要求。

关 键 词：PZT 相变 锆钛比 热释电陶瓷 

分 类 号：TM28[一般工业技术—材料科学与工程]