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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:吴显明[1] 李润秀[1] 何则强[1,2] 陈上[1]
机构地区:[1]吉首大学化学化工学院,吉首416000 [2]中南大学化学化工学院,长沙410083
出 处:《人工晶体学报》2009年第1期221-225,258,共6页Journal of Synthetic Crystals
基 金:国家自然科学基金项目(No.20873054);湖南省教育厅自然科学基金项目(No.07B060)
摘 要:采用溶液沉积及快速退火制备了不同厚度的LiMn2O4薄膜,用X射线衍射及扫描电子显微镜检测分析薄膜的物相及形貌;采用恒电流充放电及交流阻抗技术研究了LiMn2O4薄膜的电化学性质。结果表明,制备的LiMn2O4薄膜均匀,晶粒大小相近,晶粒尺寸在20~50 nm之间。经热处理后LiMn2O4薄膜断面清晰,薄膜与基片之间扩散很轻微。随着薄膜厚度的增加,薄膜的粗糙度减小,平整度变好。不同厚度的LiMn2O4薄膜的比容量介于42~47μAh/(cm2.μm)之间,经50次循环后,薄膜的容量损失率从0.18μm的0.64%上升到1.04μm的9.0%,循环性能随着薄膜厚度的增加而变差。电化学阻抗测试表明不同厚度的LiMn2O4薄膜锂离子扩散系数差别不大,数量级为10-11cm2/s。LiMn2O4 thin films of different thickness were prepared by solution deposition and rapid thermal annealing.The phase identification and surface morphology were studied by X-ray diffraction and scanning electron microscopy.The electrochemical properties of thin films were carried out by galvanostatic charge-discharge experiments and electrochemical impedance spectroscopy.The films of different thickness are homogeneous with the grain size between 20-50 nm.The cross section of the film is very clear.The film ...
分 类 号:TM912[电气工程—电力电子与电力传动]
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