检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:边楠[1,2] 张晓丹[2] 张霞[1,2] 赵颖[2] 杨瑞霞[1]
机构地区:[1]河北工业大学信息学院,天津300130 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
出 处:《光电子.激光》2009年第2期196-199,共4页Journal of Optoelectronics·Laser
基 金:国家高技术研究发展计划资助项目(2007AA05Z436);国家自然科学基金资助项目(60506003);国家重点基础研究发展规划项目(2006CB202602,2006CB202603);天津市自然科学基金资助项目(05YFJMTC01600);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390);南开大学博士启动基金(J02031);新世纪优秀人才计划资助项目
摘 要:利用超声喷雾热分解(USP)技术,采用N-Al共掺法,在eagle2000衬底上制备出了电学特性较好的p型Zn0.93Mg0.07O薄膜:电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018cm-3。系统分析了前驱溶液中Al掺杂量或Mg掺杂量变化时对p型Zn1-xMgxO薄膜电学特性和结构特性的影响。紫外可见光透射测试表明:Zn1-xMgxO薄膜在紫外-可见光范围内的透过率达到了80%。Zn0.93Mg0.07O based p type conductive thin films were fabricated on eagle2000 glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis using N-Al co-doping method.The resistance,hall mobility,and carrier concentration are 18.43 Ω.cm,0.272 cm2/(V.s),and 1.24×1018 cm-3,respectively.The electrical and structural properties of p type Zn1-xMgxO thin film with different Al or Mg doped concentrations were analyzed systematically.These films have rather high average transmittance over 80% in the visible range.
关 键 词:超声喷雾热分解(USP) N-Al共掺 p型Zn1-xMgxO薄膜 透过率
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