基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导  

Output conductance of 0.13μm MOSFET

作　　者：杨志民[1] 马义德[2] 马永杰[1,3] 摆玉龙[1] 杨鸿武[1] 

机构地区：[1]西北师范大学物理与电子工程学院,兰州730070 [2]兰州大学信息科学与工程学院,兰州730070 [3]兰州交通大学机电技术研究所,兰州730070

出　　处：《吉林大学学报（工学版）》2009年第1期229-233,共5页Journal of Jilin University:Engineering and Technology Edition

基　　金：国家自然科学基金项目(60875015);西北师范大学知识与科技创新工程项目(NWUN-KJCXGC-03-24)

摘　　要：对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究,给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好,证明了设计公式的有效性。The output,gd,of MOSFET in CMOS 0.13 μm technology and working in very low voltage was investigated,and design formulas were given.Based on the investigation results,a two-stage op-amp was designed and simulation was carried out.Simulation results are in good agreement with designing results,which validate the design formulas.

关 键 词：半导体技术 集成电路 0.13μm工艺 CMOS场效应管 输出电导 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]