具有高效空穴注入的高电子传输层的白光电致发光器件  被引量:6

White OLEDs with efficient hole injection layer MoO_3 and high-mobility electron transport layer

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作  者:马军伟[1] 张良[1] 曹进[1,2] 蒋雪茵[1] 张志林[1,2] 

机构地区:[1]上海大学材料科学与工程学院 [2]新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海201800

出  处:《光电子.激光》2009年第3期308-312,共5页Journal of Optoelectronics·Laser

基  金:国家自然科学基金资助项目(90201034;60477014;60577041;6077018;60776040);国家"973"计划资助项目(2002CB613400);上海科委资助项目(06DZ22013)

摘  要:以MoO3或m-MTDATA作为空穴注入层,Alq3或Bphen作为电子传输层组合了4组白色有机电致发光器件。发光层为9,10-bis(2-naphthyl)-2-t-butylanthracene(TBADN)掺杂3%的P-bis(P-N,N-diphenyl-aminos-tyryl)benzene(DSA-ph)作为蓝色掺杂剂和0.05%的4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyl-julolidy-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)作为红色掺杂剂。研究表明基于MoO3//Bphen结构的器件大大降低了驱动电压,改善了功率效率,在电流密度为20mA/cm2时,其值分别为5.43V和4.54lm/W。与基于m-MTDA-TA//Alq3结构的器件相比,驱动电压降低了40%,功率效率提高57%。White OLEDs with hole injection layer [(MoO3 or m-MTDATA)],and electron transport layer (Alq3 or Bphen) are prapared.With 9,10-bis (2-naphthyl)-2-t-butylanthracene (TBADN) doped with 3% P-bis (P-N,N-diphenyl-aminostyryl) benzene (DSA-ph) and 0.05% 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyl-julolidy-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB) as white emitting layer,The results the MoO3Bphen based devices have the lowest driving voltage and highest power efficiency.At the current density of 20 mA/cm2,the driving vo...

关 键 词:有机电致发光 MOO Bphen 载流子平衡 

分 类 号:TN383.1[电子电信—物理电子学]

 

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