我国晶体生长设备的现状与发展  

Present Situation and Development for Crystal Growing Equipment in China

作　　者：袁文愈[1] 

机构地区：[1]西安理工大学晶体生长设备研究所,西安710048

出　　处：《人工晶体学报》2000年第S1期227-,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：1　我国晶体生长设备的现状我国人工晶体材料有了很大的发展 ,多种晶体处于世界先进水平。然而 ,从整体来看还很不适应国民经济和国防建设高速发展的需要 ,装备的制约是主要因素之一。在晶体材料的研究和开发方面 ,应重视材料的技术水平和技术指标 ,也需要相应的先进工艺装备的研究以及高技术产业的建设。至今 ,不少单位仍使用 6 0年代的TDK 36和TDK 36AZ型硅、锗单晶炉生长氧化物晶体材料 ,机械传动爬行和振动很大 ,电器自动控制精度很低 ,部件已磨损和腐蚀 ,很难满足晶体生长的基本条件。JDL 4 0型激光晶体炉 ,80年通过机械部和电子部组织的鉴定。 2 0年来西安理工大学共生产 4 0型晶体炉 89台 ,加上北京十一所近年生产的约 4 0台 ,12 0余台 4 0型激光晶体炉是当今我国氧化物晶体直拉生长的主要设备。但该炉型从投料量和自动化水平方面已不能适应晶体发展的需要。为此 1998年西安理工大学研制成功TDL J75型晶体炉 ,该炉具有如下特点。(1)高精度的提拉系统 ,采用精密滚珠丝杠传动 ,直线滚动导轨导向 ,没有滑动摩擦 ,爬行大幅的减小。电机传动采用 1:10 0 0 0的谐波减速 ,进一步提高传动精度。标尺采用刻度为 0 .0 0 1mm光栅尺 ,提高了行程指示精度。结构上便于安装上称重系统 ,为今后提高自动化水平提?

关 键 词：晶体生长设备 单晶炉 生长控制装备 

分 类 号：O78[理学—晶体学]