可调谐激光晶体Cr∶LiSAF的生长及激光特性研究  

Growth and Laser Performance of Tunable Laser Crystal Cr∶LiSrAlF_6

作　　者：方珍意 黄朝恩 师瑞泽 宋英兰 阎泽武 

机构地区：[1]人工晶体研究所,北京100018

出　　处：《人工晶体学报》2000年第S1期56-,共1页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家 8 6 3高技术研究发展计划资助项目

摘　　要：本文报道了高质量大尺寸Cr∶LiSrAlF6晶体的软坩埚下降法生长及其激光特性研究。我们采用独特的“固相反应”氟化法处理原料 ,在生长体系严格密封的条件下 ,用厚度仅为 0 .0 6～ 0 .0 9mm的铂金软坩埚 ,在较小的温度梯度下 ,用低速率的坩埚下降法生长出了优质的Cr∶LiSAF单晶 ,尺寸达2 0× 1 30mm ,能实现 1mol%～ 1 5mol%各种浓度的均匀掺杂 ,晶体中没有杂质、裂纹、条纹、气泡、包裹物及散射中心等宏观缺陷。以固体氟化剂为基础的“固相反应”氟化法是一种简单、有效、无环境污染的新方法 ,能有效地去除原料中的氧化物成分和水 ,得到可用于晶体生长的纯净原料。全封闭的晶体生长体系对于生长优质Cr∶LiSAF的晶体至关重要 ,它可以防止原料中易挥发成分的逃逸 ,也能阻挡氧气的有害入侵 ,在保证晶体生长质量 ,提高掺杂浓度的均匀性和确定性方面均优于国内外其他先进技术。软坩埚下降法是解决Cr∶LiSAF晶体在生长过程中及生长后容易断裂的有效方法。坩埚下降法具有温梯小 ,温场稳定的优点 ,其熔区的自然对流和强迫对流相对较小 ,所以晶体在生长过程中所形成的应力比较小 ,在晶体生长后软坩埚又解决了晶体与坩埚材料热膨胀系数不一致的矛盾 ,给晶体提供了一个宽松的降温环境 。

关 键 词：掺铬氟铝酸锶锂晶体 软坩埚 下降法 斜效率 自锁模 

分 类 号：O78[理学—晶体学]