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作 者:顾庆天[1] 潘奇伟[1] 史伟[1] 房昌水[1]
机构地区:[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
出 处:《人工晶体学报》2000年第S1期43-,共1页Journal of Synthetic Crystals
基 金:国家自然科学基金资助项目!(6 98780 16 )
摘 要:近年来 ,由于在大气污染控制 ,同位素分离 ,红外制导以及生物医药方面的重要应用 ,红外激光及非线性材料的研究成为一个新的热点。而氧化物晶体由于在 3μm~ 5 μm和 8μm~ 1 2 μm两个重要的窗口有严重的吸收使其应用受到限制 ;半导体化合物因其高的分解压力使生长符合化学计量比的晶体难以得到。因此 ,寻找新的红外非线性材料成为研究人员的目标。最近 ,三氯锗铯作为一种新的红外非线性材料引起重视。CsGeCl3 (CGC)为R3空间群 ,具有畸变的钙钛矿结构 ,GeCl-3 在晶格中以GeCl6八面体形式存在 ,沿三次轴畸变。这种结构的阴离子基团具有大的分子超极化率和高的二阶非线性系数。此外 ,由于氯的原子量大于氧 ,使分子的振动吸收红移至 2 0 μm之外。因此 ,CGC晶体在红外领域有潜在的应用前景。我们采用简便的方法合成了CGC晶体 ,研究了不同溶剂对晶体生长的影响 ,并对其性质进行了测试。热分析表明 ,CGC在 32 5℃分解 ;而其介电常数在 1 5 5℃附近存在突变 ,证明其在此应存在一个二级相变。可见 红外光谱表明CGC具有宽的透光范围 ,在大约 35 0nm至 2 0 μm有良好的透光性能 ,无明显吸收。粉末倍频实验表明 ,其SHG信号强度约为KDP粉末的 5倍。这些结果表明 ,CGC是一种有应用前景的非线性材料。此外 ,我们?
关 键 词:CsGeCl_3晶体 红外材料 非线性光学晶体 溶液晶体生长
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