提拉法生长大尺寸Bi_4Ge_3O_(12)单晶  

Growth of Large Size Bi_4Ge_3O_(12) Singal Crystals by CZ Method

作　　者：徐洲[1] 

机构地区：[1]四川压电与声光技术研究所,重庆400060

出　　处：《人工晶体学报》2000年第S1期67-,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：锗酸铋 (Bi4Ge3 O12 )单晶是一种重要的功能材料 ,广泛应用于高能物理及核医学等领域。提拉法生长锗酸铋单晶 ,常因熔体粘度较大、易挥发 ,以及原料混合和熔融不均匀等因素的影响 ,生长的锗酸铋晶体内部质量较差 ,存在云层、气泡和白丝等缺陷。而且晶体的等径度比较难以控制 ,容易发生扭曲 ,导致单晶的外形尺寸达不到器件制作方面的要求 ,稳定地生长大尺寸优质锗酸铋的研究就十分必要。本研究采用电子称重中频感应加热提拉法生长锗酸铋单晶 ,经过长期的实验探索 ,在稳定原料混合和熔融均匀等工艺措施的同时 ,设计制作出具备小温度梯度 (固液界面处 1～4℃ /cm)的温场结构 ,并随之确定合适的关键工艺参数 ,如拉速 ( 0 .5～ 3mm/h) ,转速 ( 1 0～40r/min)等 ,而且在锗酸铋单晶生长中对某些参数进行微调 ,确保晶体始终处在较平的固液界面状态下生长 ,从而提高晶体的内部质量 ,生长出40～ 5 0× 80mm( 0 0 1 )、( 1 1 0 )向锗酸铋单晶。所生长的晶体无色透明 ,等径度及内部质量良好 ,进一步提高晶体内部质量和外形尺寸的研究工作仍在进行。

关 键 词：锗酸铋晶体 引上法晶体生长 闪烁晶体 

分 类 号：O78[理学—晶体学]