KDP晶体过饱和度实时控制生长  

Real-time Control of Supersaturation in Growth of KDP Crystal from Aqueous Solution

作　　者：王圣来[1] 付有君[1] 孙洵[1] 李义平[1] 曾红[1] 高樟寿[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《人工晶体学报》2000年第S1期103-,共1页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家863惯性约束聚变领域资助课题

摘　　要：在KDP晶体传统的降温法生长过程中 ,由于缺少对溶液过饱和度和实时了解 ,只能根据经验调节溶液的降温速度来控制生长过程 ,这样容易在溶液中形成过饱和度的积累 ,造成晶体生长速度快慢不一 ,形成生长层 ,使晶体内部产生较大应力 ,严重时会引起包藏使晶体不能透明生长。这种生长方法对晶体的生长速度有很大的限制 ,只有在较低的速度时才能生长出高质量的晶体。因此有必要对KDP晶体的生长过程中的浓度和过饱和度实施实时测量和控制。实时测量生长溶液的浓度是实现过饱和度控制的关键。KDP溶液的浓度可以用称重法直接测量 ,也可以通过测量溶液的对浓度敏感的其它性质如密度 ,粘度 ,折射率 ,电导等间接测量 ,还可以用纹影法测量溶液的饱和点来确定溶液的浓度。在这些方法中 ,电导法有突出的优点 ,可实现很好的量化 ,能达到较高的精度 ,由于是电信号容易实现自动化测控 ,可以做到实时测量。但是 ,常规的Wheatstone电桥法由于电极与溶液直接接触引起电化学作用 ,影响了测试结果和溶液稳定性 ,甚至可能污染生长溶液。根据电磁感应的原理我们制作了变压器型电导仪。该电导仪与Wheatstone电桥法不同 ,在测量时电极无需直接接触溶液 ,也不需要把溶液从生长容器中抽出 。

关 键 词：KDP晶体 非线性光学晶体 过饱和度 溶液晶体生长 

分 类 号：O78[理学—晶体学]