CN_x薄膜热稳定性的TG-MS研究  

作　　者：陆昌伟[1] 肖兴成[1] 陈云仙[1] 奚同庚[1] 胡行方[1] M.Schubnell 陆立明[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 [2]梅特勒-托利多仪器上海有限公司,上海200233

出　　处：《化学世界》2000年第S1期132-133,共2页Chemical World

摘　　要：首次在氩气气氛中对用磁控溅射法制备的 CNx 薄膜的热稳定性进行了 TG- MS研究。实验结果表明 ,CNx 薄膜在室温至 70 0°C左右约有 7%的失重。经 MS表征 ,在 1 80°C,3 90°C,540°C分别检测出 C+ (m/z=1 2 ) ,NO+ (m/z=3 0 ) ,O+2 (m/z=3 2 ) ,CO+2 (m/z=44) ,CN+ (m/z=2 6 ) ,C2 N+2(m/z=52 )和 NO+2 (m/z=46 )等正离子质谱峰。在 70 0～ 1 40 0°C温区内 ,出现了 42 .8%的失重 ,MS表征在 1 0 0 0°C左右有 C+ (m/z=1 2 ) ,O+2 (m/z=3 2 ) ,CO+2 (m/z=44) ,NO+2 (m/z=46 )正离子质谱峰 ,还对 CNx

关 键 词：CN_x薄膜 热稳定性 TG-MS 

分 类 号：O657.61[理学—分析化学]