HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究  

A Study of Anodic Sulfide+ZnS Surface Passivation of HgCdTe

作　　者：何波[1] 马忠权[1] 史衍丽[2] 徐静[3] 赵磊[1] 李凤[1] 沈成[1] 沈玲[1] 

机构地区：[1]上海大学理学院物理系,上海200444 [2]昆明物理研究所,昆明650223 [3]武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070

出　　处：《光电子技术》2009年第2期82-88,共7页Optoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60876045);上海市重点学科建设项目(530105);上海市教委创新基金(08YZ12);上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室的发展基金资助课题(SS-E0700601)

摘　　要：报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。The XPS result of anodic sulfide+ZnS Passivation is briefly reported.Preparation and basic principle of Br2-CH3OH surface treatment,chemical components of anodic sulffide layer and growing theory are presented completely.Finally,component distribute at different depth of the passivation structure and effect on PV device are described.

关 键 词：HGCDTE X射线光电子能谱 表面钝化 阳极硫化 

分 类 号：TN2[电子电信—物理电子学]