Design and Machining of the 15 20mA H-Cusp Source  

15—20mA负氢离子源的设计与加工

作　　者：贾先禄[1] 张天爵[1] 吕银龙[1] 姚红娟[1] 陈荣范[1] 钟俊晴[1] 宋国芳[1] 林军[1] 

机构地区：[1]中国原子能科学研究院,北京102413

出　　处：《Chinese Physics C》2008年第z1期265-267,共3页中国物理C（英文版）

摘　　要：Cusp source is one of the essential elements in high density cyclotron,whose properties have a great impact on the extracted beam of the cyclotron.The article introduces the design and machining of the H-cusp source applied to the high intensity proton beam cyclotron.By investigating deeply the technology of high intensity plasma production, long life DC filament emission of electrons,magnetic confinement,electron filtering,residual gas and electron extraction control,we designed a new cusp source with an average beam density of 15—20mA based on the 10mA H-cusp source at CIAE.离子源是强流质子回旋加速器的核心设备之一,它的性能指标对最终束流大小和质量都有重大影响.文章介绍了一种运用于强流质子回旋加速器上的多峰场负氢离子源的设计与加工情况,该离子源主要是通过深入研究高密度等离子体产生技术、长寿命大直流灯丝电子发射技术、磁约束技术、虚拟过虑技术、残留气体与电子剥离的控制技术,以及离子引出技术等,在中国原子能科学研究院原有10mA离子源基础上建立负氢离子源,实验研究低能、强流束的实验匹配与调试技术,将平均引出束流提高到15—20mA.

关 键 词：H-cusp source confinement field virtual filtering field 

分 类 号：TL503.3[核科学技术—核技术及应用]