对新型半导体光电探测器及其填充系数的研究  

作　　者：朱芳 

机构地区：[1]常州市电子技校,213001

出　　处：《科技经济市场》2006年第4期29-,共1页

摘　　要：本文提出了一种用于CMOS传感器的新型半导体光电器件。由于引入PN注入结,沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,因此提高了器件的响应灵敏度,避免了大的寄生电容,提高了信噪比。本文详细的分析了其工作原理和光电特性。

关 键 词：CMOS图像传感器 瞬态特性 填充系数 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]