半导体泵浦被动调Q高重频Nd:YAG激光器  被引量:1

High repetition pulse rate diode pumped passively Q-switched Nd:YAG laser

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作  者:曾钦勇[1] 万勇[1] 朱大勇[1] 韩凯[2] 

机构地区:[1]电子科技大学光电信息学院,四川成都610054 [2]西南技术物理研究所,四川成都610041

出  处:《红外与激光工程》2006年第z3期177-182,共6页Infrared and Laser Engineering

摘  要:从被动调 Q 固体激光器的速率方程出发,分析给出了 Cr^(4+):YAG 被动 Q 开关 Nd:YAG 激光脉冲的峰值功率、脉冲能量、脉宽及重频等相关参量表达式。以此为基础,进行了光纤耦合输出的连续半导体激光纵向泵浦被动 Q 开关 Nd:YAG 激光器实验研究,采用不同参数 Cr^(4+):YAG 晶体作为被动 Q 开关,获得了不同参数的高重频脉冲激光输出。Based on the rate equations of passively Q-switched solid state lasers,the pulse peak power,pulse energy,pulse width and pulse repetition rate are analyzed,and their expressions are given out mathematically.At the same time,a cw diode laser end-pumped passively Q-switched Nd:YAG laser for high repetition pulse rate is studied experimentally.Different pulsed laser parameters are obtained while different Cr^(4+):YAG wafers are employed in the laser system.

关 键 词:半导体泵浦 被动调Q 高重频 固体激光器 

分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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