1.54μm APD光电探测器组件的研制及应用  

作　　者：田子文[1] 霍联正[1] 缪奇[1] 

机构地区：[1]西南技术物理研究所,四川成都610041

出　　处：《红外与激光工程》2006年第z5期118-,共1页Infrared and Laser Engineering

摘　　要：主要从长波长人眼安全测距方面讨论和研究了1nGaAs雪崩光电二极管的前置放大器的电路原理和参数的设计以及光电探测器组件混合集成。着重从激光测距方面的应用探讨了由InGaAs雪崩光电二极管组成的激光接收器的应用电路的选择和设计。从测距使用的角度对InGaAs雪崩光电二极管的光电特性与偏置电压的关系进行了测试,从而了解该器件与硅雪崩二极管的光电性能的差异,从而为更好的应用InGaAs雪崩光电二极管提供参考和依据。研制的InGaAs雪崩光电二极管探测器组件及接收器在激光测距机中进行了测距应用,在激光能量为7毫焦耳汉」距集中进行测距,初步达到了要求。

关 键 词：InGaAs雪崩光电二极管 前置放大器 激光接收器 

分 类 号：TN21[电子电信—物理电子学] TN24