DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制  

Fabrication of DPLBT High Frequency Silicon Photo-negative Resistance Device

作　　者：郑云光[1] 张世林[1] 沙亚男[1] 郭维廉[1] 李树荣[1] 张振宇[2] 唐明浩[2] 黄杰[2] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]河北半导体研究所,河北石家庄050051

出　　处：《半导体光电》2002年第1期16-19,32,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：天津市自然科学基金资助项目 (9836 0 14 11)

摘　　要：研制出特征频率 fT≥ 2 2 0MHz ,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件———达林顿光电λ型双极晶体管 (DPLBT) ,并首先用发光二极管 (LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器 (PCDPLBT)。Photo negative resistance device--Darlington photo Lambda bipolar transistor(DPLBT) with the cut off frequency f T over 220 MHz and the higher photo sensitivity and maximum peak current has been fabricated. A new photocoupler with the function of the photocurrent switching, optical bistability and the light controlled sine wave oscillation has been packaged by using a LED and a DPLBT for the first time. It is different from the conventional photo insulator.

关 键 词：光电负阻器件 光学双稳态 光控正弦波振荡器 光电耦合器 

分 类 号：TN364[电子电信—物理电子学]