L型硅光敏三极管  

L-type Photosensitive Triode

作　　者：谢顺坤[1] 王波[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2002年第4期257-258,270,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：介绍了L型硅光电三极管的设计、工作原理、实验及结果。制作出的高灵敏度、探测率大的L型硅光敏三极管 ,其每个光敏元的响应率最大值为 1.2× 10 5V/W ,探测率最大值为 4 .5× 10 5cm·Hz1/ 2 /W。The design, principle of operation and experimental result of L-type photosensitive triode are introduced.The device exhibits high sensitivity and high detectivity,with the maximum responsivity for each photosensitive element of 1.2×10 5 V/W and maximum detectivity of 4.5×10 5 cm·Hz 1/2 /W.

关 键 词：光敏三极管 L型 灵敏度 响应率 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]