双绝缘层MI MIS隧道结发光性能的研究  

Study on Luminescence of Double-insulation-layer Tunnel Junction

作　　者：唐洁影[1] 刘柯林[1] 聂丽程[1] 

机构地区：[1]东南大学电子工程系,江苏南京210096

出　　处：《半导体光电》2002年第4期262-266,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金 (6 95 76 0 0 6 );东南大学科学基金 (92 0 6 0 0 10 84)资助

摘　　要：介绍了一种新型光电器件 ,即双绝缘层MIMIS隧道发光器件的结构和制备。根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点 ,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因 ,对进一步优化双绝缘层MIMIS器件的结构和工艺条件具有一定的指导意义。The structure and fabrication of double-insulation layer tunnel junction(MIMIS) are introduced.The property of the luminescent spectrum is explained on the basis of the theory of the electron resonant-tunneling.In the paper,the reason of the failure of MIMIS device is analyzed with the help of Auger spectrometer and AFM,which is a great help to optimize the structure and fabrication technology for MIMIS devices.

关 键 词：MIMIS 双绝缘层 隧穿共振 失效分析 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]