物理汽相生长并五苯晶体薄膜  

Physical Vapor Growth of Pentacene Crystal Thin Films

作　　者：张素梅[1] 石家纬[1] 刘建军[1] 刘明大[1] 郭树旭[1] 王伟[1] 赵玲[1] 李靖[1] 

机构地区：[1]吉林大学集成光电子国家重点实验室,吉林长春130023

出　　处：《半导体光电》2002年第6期418-420,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (6 0 176 0 2 2 )

摘　　要：用物理汽相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜。用 10～ 30毫克的源生长出 2 0～ 30mm2 大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜。利用扫描电镜 (SEM )、透射电镜 (TEM )和X射线衍射仪 (XRD)Physical vapor deposition in horizontal systems has been used to grow crystal thin film of organic semiconductor pentacene. Using 10～30 mg of starting material, 20～30 mm 2 sized crystal thinfilms, suitable for characterization measurements or device fabrication, have been grown. The thin film of pentacene crystal is analyzed by using TEM, X ray diffraction and scanning electron microscopy.

关 键 词：物理汽相沉积 晶体薄膜 并五苯 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]