Ga2O3薄膜材料氧敏性能的研究  

Study on the Oxygen Sensing Properties of Ga2O3 Thin Film

作　　者：侯峰[1] 王科伟[1] 徐廷献[1] 徐明霞[1] 

机构地区：[1]天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第z2期875-877,共3页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家基金委重大项目(599955206)及国家自然科学基金(50072014)资助

摘　　要：实验以三氯化镓为原料,柠檬酸为络合剂,通过NH3·H2O调节pH值,得到透明稳定的前躯体溶胶,红外光谱分析表明上述溶胶在向凝胶转变过程中,发生镓与柠檬酸的络合,并在干燥过程中依靠氢键形成大分子聚合物.采用提拉涂覆溶胶-凝胶法在多晶氧化铝基片表面形成凝胶膜后,经800℃下热处理,凝胶膜转化为单斜相β-氧化镓陶瓷薄膜.重复镀膜和热处理及超声清洗过程8个～10个周期,最后在800℃下烧结,保温1h,得到粒径为50nm～100nm左右的多孔纳米薄膜.采用自制系统检测β-Ga2O3薄膜的氧敏性能,结果表明:Fe掺杂的氧化镓薄膜材料,在400℃～800℃范围内,在理论空燃比附近,电阻突变幅度大于2个数量级,具有较高的灵敏度.

关 键 词：溶胶-凝胶法 Ga2O3薄膜 氧敏性能 

分 类 号：TQ174.6[化学工程—陶瓷工业]