铬掺杂PMS-PZT压电材料的研究  

Research on PMSZT Ceramics Doped with Cr2O3

作　　者：孙清池[1] 陆翠敏[1] 徐明霞[1] 朱宏亮[1] 

机构地区：[1]天津大学,天津,300072 天津大学,天津,300072 天津大学,天津,300072 天津大学,天津,300072

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第z2期934-936,共3页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家自然基金委重点基金项目(10232030);天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助(x06050)

摘　　要：采用固相法制备铬掺杂PMSZT压电陶瓷,研究了在不同烧结温度下铬掺杂Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0 05ZrxTi0.95-xO3+z%(质量分数)Cr2O3陶瓷的介电和压电性能,分析讨论了Cr2O3掺杂量以及烧结温度与相组成,显微结构和电性能的关系.结果表明,Cr2O3掺杂0.6%(质量分数),烧结温度1260℃时,PMSZT压电陶瓷的居里温度最低且电性能优良,ε33T/ε0=1650,tan δ=0.006,d33=328pC/N,Kp=0.63,Qm=2300.

关 键 词：PMSZT压电陶瓷 相组成 显微结构 电性能 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]