超大规模集成电路CoSix抗氧化阻挡层的制备优化  

Preparation Optimization of CoSix Anti-Oxidation Barrier Layer for ULSI-Cu Metallization

作　　者：陈秀华[1] 项金钟[1] 肖学春 平井里佳[1] 霜恒幸浩[1] 

机构地区：[1]云南大学材料科学与工程系,昆明,650091 云南大学材料科学与工程系,昆明,650091 云南大学材料科学与工程系,昆明,650091 东京大学材料工学专攻,东京,113-8656,日本 东京大学材料工学专攻,东京,113-8656,日本

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期52-57,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：教育部留学回国人员启动基金(批准号:[2005]546),云南省有色金属真空冶金重点实验室开放基金(批准号:[2005]VM02)和云南大学理工科重点项目(批准号:20042001A)资助项目Project supported by the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars of the State Education Ministry of China (No. [2005]546) ,the Opened Project by the Non-Ferrous Metal Key Laboratory of Yunnan Province (No. [2005]VM02),and the Key Project of Yunnan University (No. 2004Z001A)

摘　　要：为了制备性能良好的Co(W,P)抗氧化层薄膜材料,提出用SiH4或Si2H6对Co层进行硅化的方案.在整个硅化过程中存在着Si在Co中的扩散和Cu在Co中的扩散,为了实现较好的硅化效果有必要对扩散速率进行定量化.利用X射线光电子能谱(XPS)对Cu在Co中的扩散和Si在Co中的扩散进行深度剖面分析得到了有用的数据,在讨论了扩散过程的基础上,绘制了条件优化区域.实验结果表明:硅化反应的化学气相沉积(CVD)所得到的CoSi薄膜的抗氧化性能明显地比过程优化前得到了提高.

关 键 词：CoSi阻挡层薄膜 氢气退火 硅化 扩散 过程优化 抗氧化性能 

分 类 号：TB333[一般工业技术—材料科学与工程]