纳米非晶硅薄膜的界面发光特性  

Analysis of Interface Luminescence in Nano-Sized Amorphous Silicon

作　　者：傅广生[1] 张江勇[1] 丁文革[1] 吕雪芹[1] 于威[1] 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期91-94,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(批准号:E2006000999,E2004000119)

摘　　要：采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.

关 键 词：纳米非晶硅 PL PLE 吸收谱 界面发光 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]