籽晶分步包膜法掺杂改进ZnO的压敏电阻特性  

Property of ZnO Varistors Prepared by Fractional Precipitation on Seed Materials

作　　者：王玉平[1,2] 李盛涛[2] 张明才 

机构地区：[1]西安电瓷研究所,西安710077 [2]西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049 [3]西安电力机械制造公司,西安710077

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期312-315,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过籽晶分步包膜法ZnO复合掺杂物制备技术的研究,以及与其他三种不同工艺方法处理ZnO压敏电阻片掺杂物复合粉体的对比,特别是在复合掺杂物性能、混合浆料性能、喷雾造粒性能、电气性能和显微结构等方面的对比,得出籽晶分步包膜沉淀可以获得离子级混合均匀的ZnO复合掺杂物,经过喷雾造粒提高成型性能.最终,使ZnO压敏电阻片电位梯度和能量吸收能力得到了显著提高,分别达到2.6kV/cm和270J/cm3.

关 键 词：ZNO压敏电阻片 籽晶分步包膜沉淀 电位梯度 能量吸收能力 

分 类 号：TM862[电气工程—高电压与绝缘技术]