碳纳米管薄膜场发射器件中栅极的调制特性研究  

Modulation Characteristics of Gate Electrodes in Field Emission of Carbon Nanotubes Films

作　　者：狄云松[1,2] 王维列[3] 雷威[1] 张晓兵[1] 王保平[1] 崔云康[1] 苏星[1] 

机构地区：[1]东南大学电子工程系,南京210096 [2]南京师范大学物理科学与技术学院,南京210097 [3]浙江广信智能建筑研究院有限公司,杭州310006

出　　处：《真空科学与技术学报》2007年第z1期1-4,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家973计划(No.2003CB314706,No.2003CB314702);新世纪优秀人才支持计划(NCET-05-0466)和(NCET-04-0473)资助

摘　　要：三极结构的场发射器件的研究备受关注,栅极的调制特性是三极结构的主要研究对象.本文通过计算机模拟分析碳纳米管薄膜层表面的电场分布,结合在二极结构中碳纳米管薄膜发射的实验结果,将两者代入Fowler-Nordheim公式中求得三极结构中阴极发射电流,得到不同栅极电压对发射电流的调制关系.

关 键 词：薄膜 调制特性 场发射 

分 类 号：TN105.1[电子电信—物理电子学]