热处理对Ni/Al2O3界面电子结构的影响  

作　　者：刘韩星[1] 张汉林[1] 欧阳世翕[1] 袁润章[1] 

机构地区：[1]武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

出　　处：《材料科学与工程学报》2000年第z2期851-853,共3页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金重大项目资助

摘　　要：在多晶Al2O3基片上用射频磁控溅射法沉积Ni薄膜,将所得的样品N2气保护下在400℃和800℃保温30分种,采用光电子能谱配合Ar3+离子原位刻蚀的方法分析不同热处理样品原子沿纵深方向的化学状态.界面区域化学状态和化学组成的研究结果表明在本文的实验条件Ni在界面与Al2O3没有明显的化学状态变化,即对界面电子结构的影响不明显,但在高温(800℃)条件下存在Ni向Al2O3基片的扩散.

关 键 词：电子结构 NI/AL2O3 界面 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]