SiGe异质结微波功率晶体管  

SiGe Heterojunction Microwave Power Bipolar Transistor

作　　者：王哲[1] 亢宝位[1] 肖波[1] 吴郁[1] 程序[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子与信息工程学院,北京100022

出　　处：《微波学报》2002年第4期84-89,共6页Journal of Microwaves

基　　金：北京市自然科学基金资助项目

摘　　要：本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。This paper reviews SiGe microwave power HBT's characteristics, structures, technology and research progress.

关 键 词：SIGE 异质结双极晶体管  微波功率双极晶体管 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]